新型存储的机会来了?格芯22nm工艺量产eMRAM
最近,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。...
最近,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。...
就在2018年8月份,在晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)宣布停止7纳米及其以下先进制程的发展之后,长期合作伙伴的处理器大厂AMD便开始将7纳米Zen架构的CPU订单全都交给台积电代工,双方的这两年的合作关系非常紧密,也使得A......
格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁随机存取存储器(eMRAM)已正式投入生产。...
美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。...
格芯昨日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。...
格芯eMRAM技术的独特之处在于它是一种可靠的MRAM解决方案,能够作为高容量嵌入式闪存(eFlash)的替代品。...