格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随机存取存储器（eMRAM）已正式投入生产。
半导体联盟消息，格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随机存取存储器（eMRAM）已正式投入生产。同时格芯正与多家客户共同合作，计划于2020年实现多重下线生产。格芯树立业界里程碑，证明了eMRAM的可扩展性在物联网、通用微控制器、边缘AI和其他低功耗应用在进阶制程节点上是经济有效的选择。
格芯的eMRAM，让设计师能够扩展现有的物联网和微控制器单元架构，以取得28nm以下技术节点的功耗和密度优势，并作为大容量嵌入式NOR快闪存储器的替代方案。
格芯的eMRAM是广泛使用且坚固的嵌入式非挥发性存储器（eNVM），已通过五项严格的实际回焊测试，在-40℃到125℃的温度测试范围，展现出10万次循环耐久性和资料保存期限高达十年。FDX eMRAM解决方案通过AEC-Q100质量等级2之验证标准。该解决方案的开发正在进行中，期望可以在明年通过符合AEC-Q100质量等级1解决方案之验证标准。
格芯汽车与工业多市场部门资深副总暨总经理Mike Hogan表示，格芯致力于透过稳定、功能多元的解决方案让FDX平台与众不同，进而让客户以高性能和低功耗之应用来开发创新产品。格芯的差异化eMRAM，部署在业界最先进的FDX平台上，为易于整合的eMRAM解决方案提供独一无二的高效能RF、低功耗逻辑和整合电源管理组合。让客户能够提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已连接的IoT应用。
格芯与设计合作伙伴今起提供客制化设计套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅验证的MRAM巨集以及可选式MRAM支援内建测试功能。
eMRAM是一项可扩充的功能，预计将在FinFET和未来的FDX平台上应用，是eNVM的进阶规划。格芯位于德国德勒斯登Fab1的先进12吋晶圆生产线，将会采用MRAM来支援22FDX的批量生产。
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