英特尔发布3D NAND技术的数据中心级固态盘
英特尔发布了DC P4500系列及DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘，加强扩大3D NAND供应。...
3D NAND
几张表格看这场3D NAND竞赛中，美光/三星/海力士/西部数据/XMC谁将胜出
3D NAND也已经成为存储器厂商的下一个战场，当下NAND市场的发展动力来自于从2D到3D的转换，3D结构的进步、NAND芯片供应的短缺以及智能手机等终端产品中NAND使用量的增加都将进一步推动NAND市场的增长。...
72层256Gb 3D NAND来了，512G iPhone和2T M.2 SSD你期待哪个？
海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD，且成本更低。...
三星未来两年追投西安3D NAND工厂43亿美元
追加投资西安3D NAND Flash厂约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。...
美光第二代3D NAND闪存将至 容量更大价格更低
美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产，相比目前的32层堆栈，第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层，容量进一步提高，成本也会进一步降低30%。...
技术革新日新月异：3D NAND及PCIe NVMe SSD晋升巿场主流
全球领导IC设计公司慧荣科技（Silicon Motion Technology），日前就推出了两款专为3D TLC NAND及NVMe PCIe SSD技术设计的新一代控制芯片解决方案 － SM2258及SM2260。...
2张PPT，让你更加了解英特尔3D NAND固态盘
英特尔3D NAND制造工艺上采用浮栅存储技术，这种技术CMOS电路在Array（闪存颗粒阵列）的下面，而不是四周，在进行3D堆叠制造的时候，免去了穿孔带来的麻烦。...
三星年底前量产64层第四代3D NAND
要看看64层V-NAND是否会直接翻番到512Gbit，让三星赶超西数/东芝。而且这将意味着三星的SSD容量也会翻番...
美光推出创新型3D NAND制程工艺
目前我们还无法断定3D NAND在面对平面NAND时是否拥有制造成本优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在V-NAND身上。...
美光公司发布首款3D三层单元SSD
美光公司已经公布了其首款3D NAND SSD，1100型号是一款每秒6 Gbit SATA产品，2.5英寸及M.2 SATA配合可提供256 GB、512 GB、1024 GB与2048 GB（只限2.5英寸版本）等容量选项。...
3D XPoint发展挑战重重 但前景明朗
第二代XPoint则很可能与DRAM配合作为某种混合型主内存面向各类应用程序，并凭借着可观的存储密度及延迟水平带来种种助益，Blalock展望称。...
慧荣科技推出全球首款3D NAND SATA 6Gb/s SSD控制器
慧荣科技推出全球首款支持多家供应商主流3D NAND产品的交钥匙式企业版SATA SSD控制器解决方案。...
英特尔高管来华解读3D NAND以及3D XPoint技术以及战略
英特尔存储高管来华解读了英特尔固态盘的市场的最新战略，并深度解析了其全新面向数据中心及消费领域的存储器制程技术3D XPointM 与可以造就全球最高密度闪存的3D NAND工艺架构技术....
闪存厂商Kaminario将第一家采用3D NAND芯片
闪存存储厂商Kaminario(位于马萨诸塞州尼达姆)将成为第一家采用3D NAND芯片的全闪存阵列供应供应商。...
MLC与TLC同根生，Intel 3D NAND技术大揭秘
Intel & Richmax举办了一场3D Nand Technical Workshop技术讲解会，在会议上Intel的技术人员给在场人员具体的讲解了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。...