由于设备、材料业者间缺乏积极合作，恐难突破DRAM、NAND Flash的技术限制。
日前SK海力士(SK Hynix)预料，3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限，5年内利润空间恐压缩至零，需业界合作开发新材料因应。
据韩国朝鲜商业日报(Chosun Biz)报导指出，SK海力士常务李炳基在半导体、面板发展研讨会上表示，由于设备、材料业者间缺乏积极合作，恐难突破DRAM、NAND Flash的技术限制。
李炳基指出，取代平面NAND Flash而崛起的3D NAND Flash技术将在5年内达到极限，3D NAND Flash的密度若持续增加，单元(cell)间可能会出现干涉现象，或薄膜受到的压力过大而使图形交缠在一起，目前虽然已经开发出克服这些问题的技术，但终究不是根本解决之道。而DRAM的前景亦不明朗，目前DRAM技术已达物理极限，随著制程更加微小，需要控制的原子单位更多，因此，漏电的现象也会随之增加，进而影响装置正常运行。
李炳基认为，中长期而言，最佳的解决方案是开发新的材料，不仅最快，也将最有效率，但这需要透过设备与材料业者合作，若能顺利解决材料上的问题，甚至有机会成为新款存储器，然业者需开发出既突破物理限制又不昂贵的材料，否则若新材料制造成本过高，亦会面临经济上的限制。
最后，李炳基回应英特尔(Intel) 2017年即将量产3D Xpoint存储器一事，表示SK海力士也在做准备，一旦英特尔成功开创新市场，SK海力士将会马上提出对策。
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