要看看64层V-NAND是否会直接翻番到512Gbit，让三星赶超西数/东芝。而且这将意味着三星的SSD容量也会翻番
三星将会在西数/东芝之前批量生产64层3D NAND，并且目前正在研究3D XPoint内存技术。而西数/东芝此前宣布他们已经开始生产64层3D NAND，对于三星来说，这正是一个宣布自己将会在年底前批量生产64层3D NAND的好时机。
据称，西数/东芝将会在2017年年中开始批量生产最早的256Gbit芯片，比三星晚了近6个月。
三星的一位代表在财报电话会议上表示："我们的目标是在今年年内批量生产采用我们4G-NAND的SSD。"
在这次会议上，来自三星内存市场团队的Sewon Chun表示："我们正在有条不紊地执行第四代V-NAND开发计划以及18纳米DRAM的批量生产工作。"这里所说的第四代V-NAND就是64层技术。
他补充说："整体需求预计是增长的，这要归功于市场对主流SSD和移动应用中高密度解决方案产品不断增加的需求，下半年供需会变得更加紧密，因为3D NAND更新推迟导致供应紧缩。"
这意味着价格可能会上涨。
西数/东芝将会通过从目前的第二代256Gbit BiCS 3D NAND芯片过渡到最终的512Gbit 64层芯片来提高密度。
三星的第三代48层V-NAND 3D NAND芯片是256Gbit，我们要看看64层V-NAND是否会直接翻番到512Gbit，让三星赶超西数/东芝。而且这将意味着三星的SSD容量也会翻番，在容量以及每GB成本上赶超英特尔/美光、海力士以及西数/东芝。
西数/东芝正在努力扩展64层技术向128层发展，可能会通过堆叠2个64层芯片来实现。
三星对自己未来分层技术的规划三缄其口："在分层方面，我认为现在谈论我们可以实现多少层还为时过早。目前我们正在规划中长期的迭代，同时考虑其他性能的内存技术。"
三星在财报电话会议上评论了英特尔/美光的3D XPoint内存："关于你提到的3D交叉点技术，我认为这主要是满足了来自高端平台的需求，而且被作为降低DRAM成本的一种替代性解决方案。但是我们不认为这将在整体市场中占据显著份额。我们还认为，这种技术要真正形成一个市场的话还需要一些时间。"
"而且我认为存在一种局限性，3D交叉点并不是一项标准技术。所以我们对于这种技术的基本对策是专注于DRAM和NAND，同时也关注新的内存技术。"
我们认为，这可能是一种电阻式RAM或者相变内存。
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