英特尔3D NAND制造工艺上采用浮栅存储技术，这种技术CMOS电路在Array（闪存颗粒阵列）的下面，而不是四周，在进行3D堆叠制造的时候，免去了穿孔带来的麻烦。
10月14日，英特尔公司非易失性存储（NVM）解决方案事业部客户端固态盘战略规划及市场总监David T Lundell来京推广新的3D NAND固态盘系列产品，从David T Lundell的主题演讲中，我们对新的产品有了更多了解。
首先需要关注的是英特尔3D NAND制造工艺上采用浮栅存储技术，这种技术CMOS电路在Array（闪存颗粒阵列）的下面，而不是四周，在进行3D堆叠制造的时候，免去了穿孔带来的麻烦。从结果看，Intel 32 T/TLC每平方毫米的容量密度可以达到2.86Gb，对比竞争对手只有2.57Gb，在容量密度上，Intel高出11%，在成本上占据优势。
据记者了解，目前系列产品所采用的是32层，20nm工艺技术制造，所需要的闪存颗粒来自新加坡、美国犹他英特尔/美光工厂。未来，英特尔在大连生产厂投产之后，可以满足中国本地化的市场需求。
这是另外一个有关的技术关键点。鉴于在OP和RAID方面的设计，Intel可以提供较之Sata SSD 3.3倍的性能，较之HDD（磁盘）17倍的性能，同时具有更好的可靠性和稳定性。
需要注意的是，很多SSD固态盘在应用的初期，可靠性和性能表现差异不大，但是随着使用年限的增加，闪存颗粒坏块数量的增加，良莠就显现了出来。对此，一方面用户加强对于相关技术和参数的了解，另外一方面，也只有依靠测试结果作为参考。
除了以上的技术点之外，就没有更多亮点了。10月14日更多的内容集中消费类似的600p、6000p，对于企业级产品没有更多更新和信息披露。但从中也可以看出，在SSD市场上，英特尔也正在加强对于消费类市场的渗透。以英特尔的影响和技术实力，这不在话下，尽管会面临来自三星、东芝等对手的激烈竞争。但无论如何，英特尔在SSD市场的表现非常值得期待。
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