三星宣布512GB eUFS闪存量产:下一代手机容量更大
三星的512GB嵌入式通用闪存,由8个64层的512GB V-NAND芯片和1个控制芯片组成,其密度是三星此前基于48层V-NAND芯片的256GB闪存的两倍。...
三星的512GB嵌入式通用闪存,由8个64层的512GB V-NAND芯片和1个控制芯片组成,其密度是三星此前基于48层V-NAND芯片的256GB闪存的两倍。...
第五代V-NAND正在开发中,单Die容量达到1Tbit,IO速度达到1200Mbps,在不久的将来面世。...
要看看64层V-NAND是否会直接翻番到512Gbit,让三星赶超西数/东芝。而且这将意味着三星的SSD容量也会翻番...
三星量产基于eMMC 5.0标准的高性能移动存储器,采用3bit闪存颗粒,最大容量为128GB。...
国际固态电路会议ISSCC 2015上,三星再次公开了3D V-NAND闪存技术的一些细节资料,涉及更加底层的闪存结构,最核心的是两代3D闪存的结构、密度对比。...
三星主卖产品840 EVO固态硬盘被曝出一个诡异的Bug,读取性能会出现大幅度下滑,三星表示正在测试新固件,很快会发布修复。...