V-NAND
闪存颗粒的发展步伐仍在继续：三星将推出96层3D NAND芯片
三星公司在与磁盘驱动器的抗争当中再次发力，宣布将推出90层以上3D NAND芯片产品，而1 Tbit与QLC（即四级单元）芯片也在积极开发当中。...
三星研发 QLC V-NAND闪存 容量可达128TB
第五代V-NAND正在开发中，单Die容量达到1Tbit，IO速度达到1200Mbps，在不久的将来面世。...
三星发布48层V-NAND芯片T3便携式固态硬盘
6日的CES大会上，三星宣布推出采用3D V-NAND闪存的2TB便携式固态硬盘Portable SSD T3，采用48层V-NAND芯片。...