三星的512GB嵌入式通用闪存，由8个64层的512GB V-NAND芯片和1个控制芯片组成，其密度是三星此前基于48层V-NAND芯片的256GB闪存的两倍。
中存储网12月5日消息，据国外媒体报道，三星电子今日宣布，其旗下用于下一代智能手机和平板等移动设备的512GB eUFS嵌入式通用闪存，已开始量产。
三星宣布512GBe UFS闪存量产：下一代手机容量更大
三星电子内存销售与营销执行副总裁Jaesoo Han在公告中表示，这款新的512GB的eUFS闪存芯片可以克服一些microSD卡的性能限制，这也将成为新一代高端智能手机最佳的嵌入式存储解决方案。三星正在为全球移动制造商及时推出下一代移动设备作出贡献。
三星在公告中介绍到，这款高容量eUFS可以使高端智能手机存储大约130个10分钟*的4K超清视频剪辑，这比64GB eUFS大约增加了十倍， 13个相同大小的视频剪辑。媒体预计，三星现在开始量产512GB的eUFS闪存芯片，可以赶上明年三星Galaxy S9的上市。
三星的512GB嵌入式通用闪存，由8个64层的512GB V-NAND芯片和1个控制芯片组成，其密度是三星此前基于48层V-NAND芯片的256GB闪存的两倍。
在存储容量方面，512GB嵌入式通用闪存是64GB嵌入式通用闪存的10倍。64GB能存储13段时长10分钟的4K超高清视频，而512GB则能存储130段。
三星512GB嵌入式通用闪存的读写速度也非常出色，其连续读写速度分别为860 MB/s和255 MB/s，6秒就能将5GB的高清视频传输到固态硬盘中，是微型SD卡的8倍。
存储百科：
eUFS
嵌入式通用闪存存储(embedded Universal Flash Storage)
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