南亚科预估今年DRAM需求将比去年成长约22%

南亚今日将举行股东常会，拟通过配发约3.622元（新台币，下同）现金股息。在致股东营业报告书中，董事长吴嘉昭表示，去年税后纯益以及每股盈余均创下成立以来的新高记录，除了市场环境有利及营运改善外，出售所持有美国美光科技公司全数持股，也贡献了获利表现。

展望今年的营运计划，由于技术转换顺利完成，南亚科预估今年的位元出货量将较去年成长约48%。为因应显著的位元产出，以及早规划扩大20nm产品组合，以满足客户更多需求。

在成功推出20nm先导产品后，南亚科紧接着于去年第4季完成首颗8Gb DDR4在客户端验证，并自去年12月起量产出货，此为公司内部研发团队自行开发产品电路设计的重要成果。同时，南亚科亦已经开发另一颗8Gb DDR4产品，以提供给特定客户在服务器中进行验证，下半年开始出货。

随着这2颗8Gb DDR4产品的推出，完备了南亚科提供高附加价值解决方案给现有客户，在消费型、个人电脑周边产品等应用，也布局了目前成长最快速的资料中心服务器的应用。

南亚科表示，目前正进行8颗新产品设计，其中重点是需要用到20nm制程技术来制造低耗电及小面积的LPDDR3、LPDDR4移动存储芯片；还有其他应用于消费型、个人电脑周边产品的新芯片在有合适的移动存储芯片给客户后，预期未来将增加在智能型手机应用的参与度。

在终端应用中，目前智能型手机仍是DRAM最大的应用市场区块，服务器/数据中心应用是DRAM第二大的应用市场区块，但位元需求成长速度已经超越了智能型手机应用，至于移动计算、物联网及云端应用正在推动数据中心行业的显著增长，趋势可望持续成长。

在综合其他DRAM应用市场区块的需求后，南亚科预估今年DRAM的整体位元需求将比去年成长约22％。

近年来，三大DRAM供应商已经展示有纪律的技术转换及/或增加产能，以保持合理的供需市场状况。根据现有资讯，南亚科预估，今年DRAM位元供给的年成长率约为21%，因为三大DRAM供应商新增的产能有限，主要是靠制程技术转换来增加个别的产出，而在大陆生产DRAM的影响还有待持续观察。

综合以上，南亚科预估，总体DRAM位元需求量仍大于供给量，今年的市场环境持续有利。多年来，经历了各个DRAM周期，回馈股东一直是公司未曾改变的承诺。

基于目前的市场前景和本公司在产品及产能方面的布局，南亚科拥有应对新挑战的技能及资源，期望在未来为公司及所有股东共同创造更高的荣景。

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