2018-07-20 00:00:00
来 源
中国闪存市场
存储器/芯片
来自中国闪存市场的消息,西数下半年量产96层3D QLC,单Die容量1.33Tb。

7月20日,东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),单Die容量最高可达1.33Tb,预计将在2018下半年开始批量出货,并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。

QLC制造工艺相比TLC具有更高的要求,TLC需要8种电压范围,而QLC则需要16种电压范围。西部数据硅技术和制造执行副总裁Siva Sivaram表示:“96层QLC是建立在64层QLC的基础上而实现的,得益于西部数据的硅处理、器件工程和系统集成能力,全新的QLC利用16个不同的电压状态来存储数据,是西部数据第二代4bits/cell产品。”

西部数据表示,在96层QLC先进技术的优势下,将满足客户在零售、移动、嵌入式、数据中心/企业等领域的存储需求,预计未来QLC NAND将在这些应用中占据主流地位,犹如当初TLC取代MLC成为主流应用一样。

西部数据96层3D QLC面世,3D NAND技术进入新高度,市场竞争加剧

2018上半年三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等纷纷提高64层/72层3D NAND产出量,导致市场由缺货转为供过于求,NAND Flash市场价格持续下滑。为了进一步优化成本,提高在市场上的竞争力,5月份美光和英特尔宣布量产64层3D QLC,7月份三星宣布量产96层3D技术,且单颗Die容量均可达到1Tb,拉开了新一轮技术竞争的序幕。

今日,西部数据和东芝宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),现在已进入送样阶段,预计将在2018下半年量产。西部数据和东芝96层QLC NAND的单Die容量最高可达1.33Tb,是目前业界最高密度的3D NAND。随着3D NAND技术发展进入新的高度,原厂之间的竞争加剧。

9月19日在深圳举办的CFMS2018峰会上,西部数据、三星、美光、英特尔等将进行3D NAND技术、市场应用、全球战略等主题演讲。

2019年1Tb容量有望成为主流应用,将助力SSD向TB级推进

2018年64层3D NAND单颗Die容量以256Gb和512Gb为主,随着3D NAND供货增加,以及容量增大,使得SSD市场价格持续下滑。据中国闪存市场ChinaFlashMarket最新报价,240GB TLC SSD价格已下滑至41美金,2018年累计跌幅超过30%,并跌破历史低点,而高容量价格的持续下滑,有望刺激市场主流需求由128GB向240GB升级,并刺激市场需求增加。

2018年1月--7月240GB  TLC SSD价格走势

随着技术的进一步发展,各家原厂聚焦新一代QLC和96层3D NAND技术竞争,且单颗Die容量提高到1Tb以上,相较于64层3D NAND技术容量翻倍。为了抢占市场先机,主控厂Marvell、慧荣、群联、联芸、得一、点序科技等纷纷针对QLC或96层3D NAND技术进行控制芯片的布局,预计2019年96层1Tb容量将逐步增加在市场上的应用,且将SSD容量向TB级推进,迎来大容量需求爆发。

9月19日在深圳举办的CFMS2018峰会上,主控厂商慧荣、群联、得一将进行控制芯片技术、创新存储技术、拓展新兴市场等主题演讲。

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