据韩媒《Business Korea》报导，韩国科技大厂SK海力士已克服了下一代存储器量产的障碍之一，全球电子设计自动化龙头美商新思科技在近日宣布，将向SK海力士供应系统单芯片(SoC)技术方案，以协助该公司量产高频宽存储器HBM2E。
半导体联盟消息，据韩媒《Business Korea》报导，韩国科技大厂SK海力士已克服了下一代存储器量产的障碍之一，全球电子设计自动化龙头美商新思科技在近期宣布，将向SK海力士供应系统单芯片(SoC)技术方案，以协助该公司量产高频宽存储器HBM2E。
该SoC方案符合基于台积电7纳米制程JEDEC的HBM2E SDRAM标准，并具有409 GB/秒的数据率，可以在一秒钟内处理110部全高清电影(每部电影3.7 GB)。
SK海力士的HBM2E存储器芯片可以同时从数千个孔洞向数据发送功率，与目前的技术相比，可以减少30%以上的芯片尺寸并减少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC，与逻辑芯片(例如GPU)相距仅数十微米。因此，相较于在主机板上与SoC并行安装，可以进一步缩短数据传输距离，实现更快的数据传输。
不过，HBM2E DRAM价钱是当前的两到三倍，且尺寸大于LPDDR4芯片。因此，市场并不大，仅用于要求超高性能的地方，例如IDC或超级电脑等大型数据中心。
但是，随着5G移动通信、人工智能(AI)、自动驾驶和物联网(IoT)的出现，对高性能服务器的需求持续成长，市场前景乐观。
SK海力士在2013年首次推出HBM芯片，三星电子也随即投入了HBM芯片的开发，从而引发了两家公司的激烈竞争。针对新一代HBM2E芯片而言，三星电子于今年初首次开始量产，SK海力士是于2019年8月推出，但尚未正式开始量产。
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