美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
据外媒报道称，美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
eMRAM这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。同时很关键的是，它对制造工艺要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品价格自然不会太离谱。
事实上，除了GlobalFoundries外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究eMRAM。
GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片，在ECC关闭模式下，在-40°C到125°C的工作温度下，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。
此外，GlobalFoundries的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括LTOL（168小时）、HTOL（500小时）和5x焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。
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