海力士
SK海力士2017年规划：10nm级存储器制程与72层3D TLC NAND
SK海力士从2015年底开始使用21nm制程生产DRAM，而目前这个制程已经在主流产品、移动终端用产品以及特规的DRAM上导入。
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SK海力士从2015年底开始使用21nm制程生产DRAM，而目前这个制程已经在主流产品、移动终端用产品以及特规的DRAM上导入。
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