作为拥有国产自研核心技术的全闪存新秀，上海川源信息科技有限公司（“川源”）应邀参会。
7月30日，杭州——近日，2021全球闪存峰会在杭州拉开帷幕，本次峰会围绕NVMe、闪存介质、闪存存储网络等前沿热点话题，探究闪存如何激发数字经济新动能。作为拥有国产自研核心技术的全闪存新秀，上海川源信息科技有限公司（“川源”）应邀参会，围绕全闪存发展趋势和下一代存储技术发表主题演讲，并宣布川源已布局基于端到端NVMe-oF技术架构的下一代全闪存储，将助力企业超前部署未来商业。峰会期间，川源与华为、新华三、戴尔等企业共同荣获“2021年度十大闪存存储系统企业金奖”。
上海川源荣获“十大闪存存储系统企业金奖”
当下，商业发展变幻莫测，企业数据呈现指数级激增，作为直击企业未来商业痛点的创新存储技术，全闪存将普遍应用于承载核心业务和增值业务等多种业务场景，IDC数据显示，2020年中国全闪存阵列的市场占比已达18.9%，增速达到24%。
与此同时，基于闪存存储设计的NVMe已成全球主流应用存储协议。然而目前NVMe的应用主要在存储后端，随着服务器功能的增强和全闪存阵列存储速度的加快，存储架构将成为阻碍最佳端到端性能的瓶颈。
上海川源全闪存储产品副总裁蒋焱华在演讲中表示：“未来端到端NVMe-oF技术将成为存储领域无可争议的最热议题，推动下一代数据存储架构进一步释放全闪存的极致性能，为企业带来更快的数据处理和访问速度，助力企业超前部署未来商业。中国工程院郑院士在今天的致辞中提到了两个重要的词——‘从头’和‘先进’，不是在开源软件上修改包装，而是从头开始构建先进的技术。我们深受鼓舞，因为川源正是这样一个从底层技术开始自主研发的企业。”
现场发表主题演讲
在川源看来，真正的端到端NVMe-oF存储架构核心是基于高性能全闪存管理技术的存储网关，也就是传统意义上的存储控制器。据介绍，川源目前已布局基于端到端NVMe-oF技术架构的下一代全闪存储，内置川源基于对闪存介质物理特性的深入了解而独创的全闪存管理技术——FlexiRemap。作为川源全闪存存储操作系统的核心技术，FlexiRemap由川源100%自主研发，核心专利算法专为全闪存而生，从底层出发赋能企业级存储。
川源新一代端到端NVMe-oF全闪存存储具备四个重要特性：支持算力和存力灵活按需扩展；兼容主流硬件平台，无需购置专属硬件或部署专用驱动；全面发挥闪存性能的数据保护技术；高可用性、高稳定性、高安全性。
在新一代端到端NVMe-oF全闪存储上，川源将全面发挥闪存性能，可提供高达 90% 以上的性能转换率，通过虚拟存储控制器实现高可用性、数据保护、快照、克隆等企业级功能，最重要的是能够赋能企业存储实现CDI（可解耦基础设施Composable Disaggregated Infrastructure），使存储控制器和存储介质（SSD）解耦，企业能够按需自由调整存储网关和智能闪存柜的比例，真正实现性能和容量的scale out（横向拓展），满足企业灵活部署的需求。
川源展位受广泛关注
峰会承办方DOIT表示：“恭喜川源荣获‘十大闪存存储系统企业金奖’。过去几年来，数字经济发展的步伐在加速，作为数字经济发展的技术推动力，闪存存储技术和应用发展的步伐丝毫没有停下，越来越高的NAND层数，百花齐放的创新闪存存储技术方案，丰富多样的闪存应用和场景，让闪存存储的产业生态进一步壮大，这离不开像川源这样拥有自研核心技术的国产新秀及其他获奖企业的努力。”
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