当存储单元执行数据读写过程时，会在擦除层上施加电压，以减少通道层的串联电阻，以便半导体快速导电。
鸿海精密已获得专利 （12046648），为半导体提供更快的传导，用于快速写入内存。
美国专利商标局公布的专利摘要指出：“具有 3D 闪存存储单元的半导体包括每个存储单元中的堆栈结构、阻塞层、至少一个浮动栅极层、一个隧道电介质层和一个通道层。堆栈结构包括至少一个控制门层、至少一个介电层和至少一个擦除层。阻塞层与控制门层共面。浮动层在阻塞层中接收，并通过阻塞层隔离控制门层。隧道介电层覆盖阻塞层和浮栅层的侧面。通道层放置在隧道电气层的一侧。当存储单元执行数据读写过程时，会在擦除层上施加电压，以减少通道层的串联电阻，以便半导体快速导电。
专利申请于 2021-11-30 （17/538010） 提交。
专利链接：ppubs.uspto.gov/pubwebapp/external.html?q=(12046648).pn.&db=%20USPAT&type=%20ids
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