IBM研究人员表示，他们已经成功地用这种方法制作出了9nm的晶体管，并且预计该技术可用于1.8nm的节点。
IBM公司10月2日宣布了一项创新突破，其涉及到用钼元素材料来制作纳米通道两端的接触点，然后直接将这些接触点连至晶体管线的侧面。通过这种方法，晶体管尺度的缩小就不会增加接触电阻。
IBM研究人员表示，他们已经成功地用这种方法制作出了9nm的晶体管，并且预计该技术可用于1.8nm的节点。
在一篇博客文章中，研究员Shu-Jen Han概述了碳纳米晶体管的下一个挑战：该公司现有一种用于定位纳米管的解决方案，但还必须找到一种方法来消除上面的金属（不适用于打造晶体管的部分约为33%）。
眼下，Han说他的团队已经开发出了一种自组装碳纳米管、并在晶圆上面定位它们的方法。他预计未来的挑战是提升纳米管的密度，以便将整个晶圆的制程缩减到10nm甚至更小的间距。
背景资料：
纳米管比人的头发丝还要细1万倍，而它的硬度要比钢材坚硬100倍。它可以耐受6500°F（3593℃）的高温，并且具有卓越的导热性能。纳米管既可以用作金属导电体，比金的导电性高得多，也可以用作制造电脑芯片所必须的半导体。纳米管在极低的温度下还具有超导性。
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