SOT-MRAM几乎可以部署在每个芯片中，从而成为期待已久的通用（嵌入式）DRAM存储器的候选者。
Antaios SAS在SOT-MRAM技术（自旋轨道扭矩磁性随机存取存储器）中获得了1100万美元的资金，以加速创新并建立新的战略合作伙伴关系。
SOT-MRAM几乎可以部署在每个芯片中，从而成为期待已久的通用（嵌入式）存储器的候选者。
该投资来自专注于确定和培育有前途，快速成长的早期技术公司的技术基金。它由法国风险投资公司Innovacom和Sofimac Innovation以及总部位于硅谷的Applied Ventures，LLC（应用材料公司的风险投资部门）共同领导。其他融资也来自Bpifrance（法国公共投资银行）和其他银行合作伙伴。
“ 这笔资金是Antaios的一个重要里程碑，它断言了我们的技术的价值以及业界对SOT作为下一代MRAM的兴趣，这解决了其当前实施的局限性。我们引以为豪的是，我们吸引了金融和公司投资者，不仅带来了财务支持，还带来了业务拓展和精明的见识。我们期待与重要的生态系统合作伙伴合作，将技术推向市场。”首席执行官Jean-PierreNozières说道。
Innovacom的合伙人Vincent Deltrieu表示：“ 我们很高兴为这个高速发展的市场中的一家关键技术公司提供财务和业务支持。这是Innovacom成功支持的高度创新的初创企业和颠覆性技术的一个很好的例子。“
Sofimac Innovation投资经理Nicolas Penet说：“ 在经验丰富且知识渊博的团队的带领下，Antaios凭借在快速发展的市场中提供的解决方案处于理想位置。Sofimac Innovation很高兴为这种潜力巨大的初创企业提供支持，该初创企业是从公共研究中分离出来的，并且已经成为全球生态系统的一部分，其路线图极为雄心勃勃，前景光明。“
Applied Ventures投资总监Michael Stewart表示：“ Applied Ventures支持基于逻辑的嵌入式内存技术（例如MRAM）的持续开发，该技术为物联网和边缘AI设备提供低功耗，高性能和高耐久性。我们很高兴在Antaios进行投资，并期待帮助该公司进一步开发其有前途的技术。“
通过同时实现较高的运行速度和无限的R / W耐力，SOT有望取代微控制器，微处理器和片上系统设计中的嵌入式非易失性存储器（例如NOR闪存）和嵌入式高速缓存（例如SRAM）。除了自转扭矩（STT）以外，SOT被公认为是下一代MRAM，目前所有主要的半导体代工厂都在使用自转扭矩（STT）。SOT可以在STT-MRAM生产线上实施，从而支持在物联网，移动，计算和存储等各种应用中快速进行市场部署。
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