下一代 IBM FlashCore 模块采用 Everspin Persyst 1Gb STT-MRAM存储器，提供 2.7GB/s 的 RW 带宽
PERSYST 产品线是一套解决方案，包括传统的 Toggle MRAM、类似 DDR4 的 1Gb STT-MRAM 和 EMxxLX xSPI 系列持久内存产品。...
MRAM
三星展示全球首款基于 MRAM 的内存芯片，不仅可以用于内存计算，还可以作为下载生物神经元网络的平台。
这种新的 MRAM 芯片不仅可以用于内存计算，还可以作为下载生物神经元网络的平台。...
磁阻随机存储器MRAM市场在2026年将达到 13 亿美元
MRAM 的全球市场2020年约为 2.541 亿美元，预计到 2026 年将达到13 亿美元，期间以 32.1% 的复合年增长率增长。...
Everspin提供高密度MRAM样品,存储级内存至少256Mbit
Everspin 称该产品为转矩MRAM(ST-MRAM)，它是第三代产品——2012年第一代芯片出现，比NAND闪存速度快500倍，但只能容纳64 Mbit的 数据。...
DRAM和NAND Flash已到极限 MRAM、ReRAM被期待
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。...
什么是MRAM（不挥发性磁性随机存储器）及MRAM原理、应用比较
MRAM磁性随机存储器相关的磁电阻效应和自旋电子学，较详尽地综述了MRAM的发展、工作原理、性质与应用，MRAM最大的特点是非挥发性（Non-Volatile）。...
三星收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。
三星今天宣布，该公司已经收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者。...
未雨绸缪，东芝和Hynix研发新一代MRAM产品
东芝和海力士（Hynix）正式在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器）技术领域进行合作。...