北海道大学的研究人员认为，如果存储材料可以磁性和非磁性状态之间来回迅速切换，将有可能为现有0/1形式存储的数据添加A / B磁存储形式。在本质上，这可能会将存储容量翻倍。
日本研究人员已经开发出可以磁性和非磁性状态之间来回切换快速的储存材料和装置，这样一来，他们已经有可能将固态驱动器和USB闪存驱动器的存储容量翻倍。在磁存储当中，一个磁性膜在各区域的磁化方向代表数据，而以二进制形式的电子存储装置当中数据存储在数百万个微型逻辑门内。
北海道大学的研究人员认为，如果存储材料可以磁性和非磁性状态之间来回迅速切换，将有可能为现有0/1形式存储的数据添加A / B磁存储形式。在本质上，这可能会将存储容量翻倍。
他们研发了过渡金属氧化物来作为存储材料，因为它们获得或失去氧化物离子的时候，可以在非磁性不导电状态和高导电性金属磁体状态之间切换。
不幸的是，获得或失去氧化物离子需要高温加热，不适合室温操作，或者采用液体碱性电解质，它容易泄漏，因此，研究人员开发了自己的替代方法，他们使用钽钠薄膜铺设在锶氧化钴表面，施加三伏特的电流，大约两到三秒钟时间之后，让它从绝缘状态切换到金属磁体状态，施加反向电流，可以切换回绝缘状态。
通过将装置小型化，可以降低切换耗时，用于商业应用。研究人员认为，他们的方法可以开发新型电磁开关设备，如高容量闪存开发以及新光电和电热设备。
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