Cypress推出4-Mbit非易失性静态随机存储器(nvSRAM)产品，15ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期。
赛普拉斯半导体公司(Cypress)于近日推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器(nvSRAM)产品。这款新器件产品的特色包括15ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期，适用于那些要求连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全性的应用，包括RAID应用、严苛的环境下的工业控制设备以及汽车、医疗和数据通信系统内的数据记录功能。
nvSRAM可作为快速非易失性存储器的替代产品。与需要备用电池的SRAM相比，nvSRAM能够减少板卡占用空间并简化设计，而且其经济性和可靠性都要优于磁性存储器(MRAM)或铁电存储器(FRAM)。这款新产品是赛普拉斯的nvSRAM系列中的最新产品，该系列还包括当前批量生产发运的256K和1Mbit nvSRAM型号的器件。预计，这一系列在2008年上半年还会再推出新产品。
这款新4-Mbit nvSRAM产品首次采用赛普拉斯S8 0.13微米SONOS(硅氮氧化物硅)嵌入式非易失性存储器技术制造的产品，实现了更高的密度，缩短了存取时间并提高了性能。作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯将在下一代PSoC混合信号阵列、OvationONS激光导航传感器、可编程时钟和其它产品中应用该项技术。SONOS对标准CMOS技术具有极高的兼容性，并具备了高耐用性、低功率和耐辐射性等众多优点。
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