10倍性能优势，美国科学家找到一种立方砷化硼材料可代替硅材料

由硅制成的半导体材料已成为许多现代技术的基础，包括微电子计算机芯片和太阳能电池。然而，硅导热性能较差，导致计算机中频现过热问题且需要昂贵的冷却系统，在半导体领域并非理想首选。

近期，美国麻省理工学院、休斯敦大学等组成的科研团队研究证明一种立方砷化硼材料可以克服上述问题。立方砷化硼材料除可为电子和其正电对应物提供高迁移率之外，还具有出色的导热性。研究人员称，目前热量传输是许多电子产品发展的主要瓶颈，碳化硅正在取代主要电动汽车行业的电力电子产品硅，因为尽管电迁移率较低，但它的导热率是硅的三倍，而砷化硼导热率和迁移率比硅高10倍。下一步研究的重点将是如何像硅一样有效地生产和纯化立方砷化硼材料。该研究结果发表在《科学》杂志上。

中性杂质和带电杂质对立方砷化硼性能的影响

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