2020年6月1日，三星电子 (Samsung Electronics) 宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。据三星官方消...
半导体联盟消息，2020年6月1日，三星电子 (Samsung Electronics) 宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。
据三星官方消息指出，新工厂位于韩国平泽2号线内，计划于2021年2月量产，将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。
在不久前，5月21日，三星电子官方宣布了将在平泽市再投建一条全新的晶圆代工生产线，以满足全球对极紫外光刻技术 (EUV) 的需求。时隔10天，三星再次宣布新的NAND Flash产线投资计划。
虽然官方暂未公布具体投资金额，但业界推测该新晶圆代工生产线和NAND生产线的投资规模，或分别达到10万亿和8万亿韩元。
三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为，三星电子近期连续宣布的投资计划，尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下，反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。
目前，EUV晶圆代工生产和NAND闪存生产所需的洁净室已在着手建设中，争取在2021年下半年可以投产5纳米EUV芯片及V-NAND闪存产品。
封面图片来源：三星电子官网
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