华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存（90nm eFlash）工艺平台已成功实现量产，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。
华虹半导体有限公司（“华虹半导体”）宣布其第三代90纳米嵌入式闪存（90nm eFlash）工艺平台已成功实现量产。
华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域，通过不断的技术创新，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP具有更明显的面积优势，使得芯片整体面积进一步减小，从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时，光罩层数也随之进一步减少，有效缩短了流片周期。
而可靠性指标继续保持着高水准，可达到10万次擦写及25年数据保持能力。近年来，华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台，在保持技术优势的同时，不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产，为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器（MCU）等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者，未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新，面向高密度智能卡与高端微控制器市场，同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化，将200mm现有的技术优势向300mm延伸，更好地服务国内外半导体芯片设计公司，满足市场需求。”
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