DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会，通过今年资本支出预算案，以不超过92亿元（新台币，下同）为上限，与去年资本支出相较之下，增幅达31.4%，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。
半导体联盟消息，DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会，通过今年资本支出预算案，以不超过92亿元（新台币，下同）为上限，与去年资本支出相较之下，增幅达31.4%，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。
南亚科2017年资本支出共294亿元，但2018年下半年起受到美中贸易摩擦、CPU缺货等因素冲击，DRAM市况转趋保守，南亚科因此于2018年第4季下修资本支出，全年资本支出为204亿元。
去年DRAM市况持续走弱，南亚科也因此再下调资本支出，去年2月原定资本支出共106亿元，4月下调至70亿元，与2018年相较，等同大幅缩水超过6成。不过，南亚科表示，由于前2年已陆续采购设备，去年资本支出规模原本就相对较少，并因应市场变化，再缩减资本支出。
今年则因10纳米级制程技术将导入，包括研发、试产等需求，推升资本支出金额较去年扩增，南亚科总经理李培瑛表示，上半年资本支出相对较低，下半年适逢10纳米级制程推进，资本支出相对较高。
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