以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。
半导体联盟消息，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
据意法半导体介绍，Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。
双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。据披露，现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。
意法半导体表示，Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。
意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称，收购Exagan的多数股权是对意法半导体目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。
据了解，2018年意法半导体宣布与CEA Tech旗下研究所Leti合作研发硅基氮化镓功率切换元件制造技术。前不久，意法半导体宣布与台积电携手合作加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。
意法半导体汽车产品和分立器件部总裁Marco Monti曾指出，意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机，将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。
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