日前，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样，全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构，预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。
【科技号】日前，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样，全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构，预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。
同时，美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。
美光第四代3D NAND使用多达128个有源层，并在阵列设计方法上继续使用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅替换的浮栅技术，以试图降低尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用量身定制。
美光表示，在其后续RG工艺节点广泛部署之后，到2021财年将真正开始降低成本。
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