美光科技公司揭示高容量的叠层的16Gb低功耗双数据率4X（LPDDR4X）DRAM，提供多达16GB的1在单个智能电话低功率DRAM的（LPDRAM）。 Micron LPDDR4X还采用基于UFS的多芯片封装（uMCP4），有利于移动设备制造商消耗高达10％的功耗，而预期的5G移动技术则需要支持
美光科技公司揭示高容量的叠层的16Gb低功耗双数据率4X（LPDDR4X）DRAM，提供多达16GB的1 在单个智能电话低功率DRAM的（LPDRAM）。
Micron LPDDR4X还采用基于UFS的多芯片封装（uMCP4），有利于移动设备制造商消耗高达10％的功耗，而预期的5G移动技术则需要支持更高数据速率和实时数据的内存子系统处理以改善移动设备。
Micron LPDDR4X内存解决方案提供八种不同格式的基于UFS的多芯片封装（uMCP4），从64GB + 3GB到256GB + 8GB不等。
“数据密集型移动应用正在推动消费者对大容量内存和存储的需求增长 - 不仅在旗舰智能手机中，而且在中高端移动设备中，”美光科技公司高级副总裁兼总经理表示。移动业务部门，Raj Talluri博士。“新的16Gb LPDDR4X旨在满足当今数据需求的应用需求，同时确保能够满足未来边缘高级人工智能处理和高带宽5G应用的需求。”
Micron使用所谓的1Z方法，也称为10-nm级，用于16 GB芯片。这是三星面前的美国制造商，因为他们总是使用1Y节点。这是因为没有提到确切的过程 - 1X可以对应于18nm，1Y然后15nm，1Z然后12nm。Micron表示16Gb芯片是在1Z过程中针对节点1Y创建的。制造时在相同速度下能耗降低40％。然而，在其他地方，制造商仅谈到10％，特别是在LPDDR4X-4266的背景下。
凭借16GB，Micron构建了不同的芯片插槽，包括8个uMCP（基于UFS的多芯片数据包）：报价范围从3GB LPDDR4X到64GB通用闪存，高达8GB加256GB。16GB版本似乎不是与UFS的组合，这可能也适用于可能的12GB旁路，有六个芯片而不是八个。UCPP具有堆叠DRAM和闪存的优点，因此在智能手机卡上占用的空间更小; 这个程序一直是标准的。
LPDDR4X仍然是移动领域最快的内存，有了LPDDR5，还有一个接班人。三星的连续生产正在进行中，韩国人根据自己的信息自2019年夏天开始生产已经12 GBit Dies的LPDDR5-5500。这至少对应于纯理论数据传输速率，其增加了近30％。第一个支持LPDDR5的片上系统，如Qualcomm Snapdragon 865，将于今年秋季上市。此外，Apple的A13和华为麒麟985/990可以使用该内存。
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