美光：DRAM价格稳到年底，2018下半年开始导入1ynm技术

随着线上交易、无人驾驶、大数据、移动设备、物联网等领域对存储器需求强劲，存储器大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦（Wayne Allan）看好2018年存储器市况供需健康发展，尤其DRAM市况，价格可望持稳到今年底。

美光曾在2018财年Q2财报中表示，预估2018年全球DRAM产业bit供应量将增长20%左右，NAND Flash市场bit供应量会高于45%，而美光在DRAM领域没有新厂增产计划，主要是通过提升制程技术增加产出量，美光DRAM bit供应量增长符合行业水平。

至于NAND Flash产业，随着64层3D NAND生产比例的增加，预计美光2018年bit供应量会高于产业平均数，而且美光新加坡新建的Fab工厂已开始动工，未来主要满足下一代96层3D NAND技术的发展，以及市场需求的增长。

为了满足DRAM市场需求，以及提高在市场上的成本优势。Allan表示，美光在台湾有2个前端制造厂区及1个后段制造厂；其中桃园厂1x纳米预计2018下半年起逐渐放量，而1y纳米制程预计在年底导入，至于台中厂1x纳米制程已可投产，预计2019下半年提升到1z纳米。

他还强调，美光以台湾为DRAM卓越制造中心，持续聘雇高阶技术人才，预计未来2年将持续招募员工，2018年3月台湾员工总人数约6,800人，预计2018年底提高到7,300人，较2017年底员工数年增约800人，2019年预计将再增加350人。

此外，对于中国企业积极发展存储器产业，Allan表示，存储器的门槛难度高，尤其是在尖端技术上，很难在短期内就能赶上。有关中美贸易战，艾伦强调，正密切关注事件发展，会多方考量及评估风险，但目前还看不出有负面影响。

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