传三星、海力士18nm DRAM出现良率问题，市场价格增添变量

受惠于市场需求强力推升，服务器存储器供应持续吃紧，近来市场传出，存储器龙头厂三星与海力士18nm制程出现良率问题，应用于高阶服务器产品遭到退货，包括美国及大陆厂商已要求暂时停止出货。尽管三星对外刻意采取低调，但多家台湾地区业者近日仍纷纷接获消息，业界预计最快1~2个月左右应可改善良率，但由于第3季DRAM价格预期将缓步上升，如今再受到高阶DRAM产出供不应求，将为下半年市场价格涨幅投下变量。

根据市场消息传出，三星及SK海力士先后于5月起传出18nm制程出现质量疑虑，并遭到数据中心客户退货，且在改善前将暂缓出货，受到影响的业者包括亚马逊及阿里巴巴、腾讯、华为等大厂，台湾地区业者也陆续于近1~2周内获得讯息。

虽然目前2家韩厂并未证实新制程的技术问题，但由于全球DRAM产业已呈现寡占结构，三星、SK海力士与美光等前3大厂掌握95%市占率，在韩系大厂的良率未能稳定改善前，预料数据中心的高阶服务器产品供应紧缺恐将进一步扩大。

相关供应链业者表示，三星18nm制程并非第一次传出质量疑虑，先前已修改过2次设计，原本业界以为第3次改良将可安全过关，不过高阶服务器产品应用于数据中心的要求较为严格，环境测试也较为严峻，在DRAM制程持续微缩下，导致符合规格的产品良率较难稳定控制。

业者认为，这并不代表全部18nm制程都有问题，只是在高标准的服务器用DRAM产品遭到瓶颈，但未达高标的DRAM产品仍然可以用于其它消费性DRAM需求，如PC或NB等应用，而依照过去经验，韩系存储器厂最快应可在1~2个月左右改善良率问题，加上目前三星的20nm制程也在稳定生产出货，供应至服务器市场足可应付，也预计应该不至于造成全面性的市场严重缺货问题。

虽然NAND Flash近来价格下滑，但业界指出，2018年受到DRAM新增产能有限，整体市场供需的确处于吃紧，价格也相对稳健，尤其是服务器存储器需求最为强劲，其成长速度已超越DRAM主流的移动存储器，主要受惠于云端储存与物联网的带动，数据中心建设拉动了服务器存储器的需求，业者初估，预期未来2~3年内，服务器存储器将可跃居DRAM市场主流，其中，2018年DRAM搭载量成长超过3成，已成为DRAM需求成长的主要动能，产品价格也最为昂贵。

据指出，以32Gb服务器存储器为例，从过去156美元开始调涨，过了2年几乎呈现翻倍，近期市场价格已经来到300美元的历史高价，原本市场认为，服务器存储器的价格水位偏高，未来继续上涨空间十分有限，但降价幅度也不会太明显，不过随着韩系大厂近日传出在服务器/数据中心出现供货不顺，这也意味着18nm制程导入的良率稳定仍有待提升，将使得高阶的服务器存储器的供应缺口扩大，未来市场价格涨势可能将持续走扬。

业界指出，受到下半年进入传统旺季，先前三星已释出第3季移动及服务器DRAM价格续涨的讯息，如今18nm制程稳定供应服务器/数据中心遭受乱流，下半年的价格涨幅是否扩大将有待观察。此外，韩系存储器厂在遭到客户暂停出货后，对于美光以及积极抢攻服务器市场并预计2018年第4季起小量出货的南亚科，将有机会带来切入的契机，市场版图变化将值得关注。

另一方面，市场也传出三星电子可望暂缓DRAM扩产计划，由于三星制程转进1ynm后，并无法有效降低单位生产成本，使得原本第3季将于韩国平泽厂(Pyeongtaek)东翼大楼(east wing)2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划将暂缓，业者认为，在新增产能延迟开出下，未来DRAM位元需求量大于供给量的情况可能将继续延长。

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