合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。
在今天开幕的2019世界制造业大会上，专注内存研发生产的合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。
根据合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。
朱一明表示，“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”
对于此前外界最为关心的良率问题，合肥长鑫没有公布具体的数据，但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
在昨天的中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲，指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。
在我国去年进口的3000多亿美元的芯片中，DRAM内存芯片占比最高，占到了20%以上。
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