在2019年存储器相关投资大幅下跌之后，市场预期2020年新存储器容量投资将急剧增加。
半导体联盟消息，在2019年存储器相关投资大幅下跌之后，市场预期2020年新存储器容量投资将急剧增加。受逻辑半导体制造商之间的竞争所推动，逻辑芯片尺寸持续扩大，新设备相关需求也推动了EUV光刻机的量产，为半导体设备产业带来更多的动能。
展望2020年，相对2019年的下跌，存储器设备投资预期将会有所增加。考量到近期存储器供需状况的改善，除非相关投资能在今年第二季有所回升，否则2021年恐将面临存储器供应严重短缺。因此，主要存储器制造商预期将在今年下半年加大投资。
《Business Korea》报导，三星电子DRAM存储器容量将以50k wpm的速度增长，而NAND则将以85k wpm的速度增长，SK海力士的DRAM的存储器容量将以30k wpm的速度增长，从这些数据来推断，主要的存储器设备制造商有可能在2020年创下有史以来最强劲的获利。
另一方面，芯片尺寸的增加，以及EUV光刻技术引入DRAM制程中，也有利于半导体设备产业。在逻辑芯片制造商之间的竞争推动下，逻辑芯片的尺寸持续扩大。基于固定容量，随着芯片尺寸的增加，芯片出货量将会下跌，也将推动容量相关投资。2020年，英特尔(INTC-US)计划投资170亿美元，使产能年增25%。台积电也计划进行150亿美元的投资，较2018年增加50%。
新创独角兽公司Cerebras日前推出了全球最大的电脑芯片-晶圆级引擎(Wafer-Scale Engine，WSE)，标志半导体产业的重要里程碑，芯片尺寸的大幅度增加也将提高AI运算能力，WSE芯片是由台积电16纳米制程打造的300mm晶圆切割而成。
近期5纳米逻辑芯片和1Z纳米DRAM制程引入EUV设备也将使半导体设备产业受益。台积电如今正在引入4至5层EUV光罩层，用在包括5纳米EUV光刻技术、孔洞阵列(hole arrays)等。
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