韩国三星电子于25日宣布，已经成功出货100万个极紫外光刻技术（EUV）生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组，将为高端PC、移动设备、企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品，开启新里程碑。
半导体联盟消息，韩国三星电子于25日宣布，已经成功出货100万个极紫外光刻技术（EUV）生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组，将为高端PC、移动设备、企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品，开启新里程碑。
据韩国媒体《KoreaBusiness》报导，三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Lee Jung-bae指出，随着以EUV技术所生产的新型DRAM量产，展示三星对提供革命性的DRAM解决方案以支援全球IT客户需求的承诺。另外，这项重大进展也说明三星将如何透过即时开发高端制程技术来生产高端存储器市场的下一代产品，继续为全球IT创新贡献心力。
报导表示，三星是首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商，用以克服DRAM发展上的挑战。因为EUV技术的采用，减少了多重影像制作中的重复步骤，因此进一步提高了影像制作的准确性，也增加了产品的性能与产量，也使得生产时间缩短。
目前，三星的EUV技术将从其第4代10纳米级的DRAM生产中开始全面部署。而三星也预计自2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5。而在这样的制程下，将使12英寸晶圆的生产效率提升1倍。而且，随着2021年DDR5和LPDDR5市场的扩展，三星也将进一步加强与IT客户及半导体供应商优化标准规格合作，加速整个存储器市场开始向DDR5和LPDDR等规格产品发展。
另外，为了满足对新世代DRAM市场不断成长的需求，三星也将在2020下半年开始在韩国平泽工业区内建立第二条存储器产线。
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