这次拟在青岛西海岸新区再投建氮化镓（GaN）晶圆制造项目，耐威科技表示，若项目顺利建成，将有利于公司在第三代半导体领域的全产业链布局。
中存储网消息，耐威科技正在进一步布局第三代半导体产业链。
11月6日，耐威科技发布公告称，其与青岛西海岸新区管委签署协议，拟在青岛西海岸新区投资建设氮化镓（GaN）晶圆制造项目。
投建氮化镓（GaN）晶圆制造项目
公告显示，耐威科技与与青岛西海岸新区管委签署《合作框架协议》，双方根据国家有关法律法规及青岛西海岸新区发展规划，本着共同发展、互利共赢的原则，经友好协商，就耐威科技拟在新区投资建设氮化镓（GaN）晶圆制造项目初步达成意向。
该项目拟建设一条6英寸氮化镓微波器件生产线和一条 8英寸氮化镓功率器件生产线；项目总建筑面积约20.40万平米，其中厂房与办公建筑面积约18.00万平米，宿舍面积约2.40万平米。项目建成后，将有助于青岛形成氮化镓（GaN）基础材料全产业链基地及产业集群。
此次签订的协议不涉及具体金额，至于项目资金，公告表示项目一期投资由耐威科技联合有关产业投资基金共同出资不少于50%；其余资金由青岛西海岸新区管委协调安排相关国有企业以土地厂房出资或直接投资方式解决，具体合作方式耐威科技与相关国有企业另行约定。
据介绍，青岛西海岸新区管委为青岛西海岸新区的行政主管单位，青岛西海岸新区是国务院批准的第9个国家级新区，处于山东半岛蓝色经济区和环渤海经济圈内，具有辐射内陆、联通南北、面向太平洋的战略区位优势。
公告指出，本协议是双方合作的框架协议，自协议签署之日起有效期三个月，具体合作模式及内容以双方另行签署的合同约定为准。
第三代半导体领域全产业链布局
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表之一。与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
由于性能优越等原因，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，抢占战略制高点。近年来，我国多地及不少企业正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半导体领域。
2018年7月，耐威科技在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；2018 年6月，耐威科技在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”（以下简称“聚能晶源”），主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。
目前，耐威科技在第三代半导体的布局已有阶段性成果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”；今年9月，聚能晶源宣布其第三代半导体材料制造项目（一期）正式投产。
这次拟在青岛西海岸新区再投建氮化镓（GaN）晶圆制造项目，耐威科技表示，若项目顺利建成，将有利于公司在第三代半导体领域的全产业链布局，把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料与器件在5G通信、物联网、数据中心、新型电源等领域的推广应用。
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