Intel或将3D XPoint / Optane存储器的生产转移到中国工厂

2019-05-20 17:38:10

来源
中存储

行业观察

在IMFT与美光公司离婚之后，该公司正计划将3D XPoint / Optane存储器的生产转移到其中国工厂。

与其他NAND闪存行业一样，英特尔对市场供过于求和价格下降并不特别满意。该公司已经表示将减少今年的NAND产量，而上周作为英特尔发明者公告的一部分，CO Bob Swan确认制造商在可预见的未来也不会增加任何额外的NAND容量。与此同时，在IMFT与美光公司离婚之后，该公司正计划将3D XPoint / Optane存储器的生产转移到其中国工厂。

英特尔的NAND战略

与其他NAND制造商相比，英特尔对其内存业务的关注度略有不同。最初，英特尔认为闪存/固态硬盘是增加其内置英特尔CPU / SoC设备的BOM成本份额的一种方式，这种策略仍然存在。随着3D XPoint和高容量3D NAND的到来，该公司开始将这些产品视为其客户端和服务器平台的差异化因素，这完美地服务于其最初目标并使其平台更具竞争力。因此，该公司更倾向于制造可用于一般SSD和企业SSD的高容量存储 - 特别是3D XPoint / Optane - 以获得更高的利润和投资回报。鉴于其目标，与其他NAND闪存制造商不同，

在最近的几年中，美光，三星，SK海力士和东芝开始建立新的晶圆厂（韩国公司有一定的灵活性，可以调整他们的DRAM或NAND生产线），或继续增加现有的晶圆厂。最近由于供过于求和价格低廉，他们的产量增加放缓，但建设过程仍在进行中。英特尔不是这种情况，英特尔不希望建立额外的NAND容量。

降低成本

英特尔位于中国大连的Fab 68于2010年开始生产，目前专门用于该公司的3D NAND存储器。该晶圆厂的产能自2010年以来一直在扩大，但看起来公司计划在可预见的未来投入任何大笔资金用于Fab 68扩建（至少就NAND容量而言）。

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相反，英特尔的重点是降低3D NAND的成本，包括64层，96层，“超越”，这表明英特尔已经开始研究其下一代3D NAND（超过100个活动层）将在Fab 68生产。有趣的是，英特尔继续对其3D浮栅结构充满信心，并相信它将使其能够在未来几年继续降低NAND闪存的每GB成本。

目前，由于整体市场趋势，英特尔预计其NAND存储业务今年不会实现盈利。因此，它需要降低成本以提高盈利能力（或减少损失）并保持其在SSD市场上的竞争地位（或者至少在定价方面更灵活）。

将3D XPoint Production移至Fab 68

目前，3D XPoint存储器是在位于犹他州Lehi的IM Flash工厂独家制造的。由于英特尔即将将其在该设施中的股份出售给美光，因此需要找到一家新工厂来生产其持久存储器。随着时间的推移，英特尔希望将其3D XPoint / Optane内存的生产转移到中国大连的Fab 68（如下图所示）。Bob Swan不愿透露该公司何时会发生这种情况，但只表示英特尔需要继续开发其持久存储器才能这样做。

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根据英特尔与美光之间的现有合约条款，后者将获得英特尔收购英特尔在IM Flash的Lehi工厂（预计将于2019年10月31日发生）的股份后向英特尔提供长达一年的3D XPoint内存晶圆）以预先商定的价格。之后，Micron可能会继续以代工厂的形式向英特尔提供3D XPoint内存。其结果是，英特尔将能得到1 日和2 次美光第二代3D XPOINT内存，直到至少晚2020年，之后，他们将不得不墨水的单独协议。

今年早些时候，英特尔表示其第三代3D XPoint / Optane持久存储器将在其位于新墨西哥州Rio Rancho的Fab 11X工厂综合体中开发（如下图所示）。但目前尚不清楚英特尔计划生产这些芯片的地方。考虑到开发新技术所需的时间，我们可以推测英特尔的第三代3D XPoint / Optane持久性存储器可能会在Fab 11X和/或有时在2021年的Fab 68上生产。后者晶圆厂似乎更有可能是英特尔用于存储器的大批量工厂，该公司计划将其用于Optane。

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事实上，根据英特尔首席执行官的说法，看起来该公司更倾向于以牺牲3D NAND卷为代价，在Fab 68上提升3D XPoint / Optane内存。考虑到工厂的规模，将其用于Optane肯定会有助于降低持久性内存的成本。然而，考虑到从工艺技术到成本再到应用的两种类型存储器之间的所有差异，很难预测何时以及Optane容量是否会对3D NAND卷产生影响。