沿着摩尔定律，半导体的工艺尺寸缩小仍在持续，突出的矛盾是由于研发与量产的费用昂贵，能跟进的厂家数量越来越少，以及未来的每两年前进一个工艺制程节点，会从每两年推迟到三年，甚至更长。从尺寸缩小角度，定律可能尚有十年左右的时间。芯片巨头英特尔的1.
沿着摩尔定律，半导体的工艺尺寸缩小仍在持续，突出的矛盾是由于研发与量产的费用昂贵，能跟进的厂家数量越来越少，以及未来的每两年前进一个工艺制程节点，会从每两年推迟到三年，甚至更长。从尺寸缩小角度，定律可能尚有十年左右的时间。
芯片巨头英特尔的10纳米工艺制程一再的“跳票”，表征芯片技术层面追求完美，十分的不易，引起业界的反思。
3纳米坎
全球半导体从工艺制程角度，仅剩下三家在比拼，英特尔的路径可能有些起伏，导致只剩下两家，分别是台积电与三星，观察总的趋势台积电获得了更大的市场份额，暂时走在前列。
台积电从2018 Q3开始7纳米量产，并占季销售额的10%，估计累积投资达250-300亿美元，月产能约为100,000片。业界统计它的7纳米市占率近100%。
台积电的5纳米投资250亿美元，月产能50,000片，之后再扩充至70,000-80,000片。在2020年3月开始试产。同时2020的上半年它的6纳米进行风险生产，并将在2020年底进入量产。据台积电自述，预测2020年它的7纳米收入占比能达到30%，及5纳米的收入占比达10%。
台积电的3纳米计划，将于2020年开始建厂，2021年完成设备安装，并于2022年开始试产，及2023年正式量产，3纳米工厂的投资为200亿美元。
对于3纳米工艺技术路径，目前仅三星公布将采用GAA环栅的纳米片(Nanosheet)FET结构，而台积电是密而不宣，估计今年4月时才能公开。
因为从2011年英特尔推出3D finFET结构以来，延伸定律至14纳米，10纳米，至7纳米，一路平稳前行。而从7纳米工艺路线开始分岐。三星首先釆用EUV技术进入7纳米，试图扳倒台积电，但是“人算不如天算”，台积电仍坚持采用多次曝光技术先占领市场，它的策略奏效，取得几乎100%的7纳米市场。
进入5纳米，台积电也必须釆用EUV技术。但是市场预测5纳米可能与10纳米相同是个过渡节点，未来将迅速移向3纳米，但是在3纳米时现在的finFET架构已不再适用，导致市场开始“百花争艳”。
三星电子计划利用EUV工艺，提高在7纳米以下的市场份额。它的3纳米级技术计划首先应用在它的晶圆代工之中。三星计划2020年下半年在全球最先实现3纳米级芯片的批量生产。
三星电子将在最新的3纳米工程中使用新一代的工艺，称为“环栅架构GAA”。三星电子的半导体部门表示，基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上，耗电量减少50%，处理速度可提高30%左右。
3纳米制程是个坎，原因是之前釆用的finFET架构已经不再适用，需要釆用新的架构，统称为“GAA，环栅”，实际上它有多个选项，包括如Nanosheet，Forksheet及CFET等，因此尚需等样品产出经过测试后才能作出定论。这也是为什么台积电迟迟不愿公布它的3纳米架构的原因，一切可能尚在权衡之中。
业界预计3纳米是个与7纳米同样，长寿命节点，新的架构将影响下一步的2纳米，甚至1纳米工艺。
IBS的琼斯说，GAA在一定程度上提供了更佳的性能，与3nm的finFET相比，3nmGAA的阈值电压更低，潜在的功耗降低了15%到20%。但性能提升可能低于8%，因为MOL和BEOL是相同的。
纳米片FET和finFET的不同之处。finfet是用有限数量的鳍来量化的，给设计工作带来了一些限制，而纳米片的优点是它可以有不同的宽度。根据设计师的需要，它们可以更好的来权衡性能和功耗。
IMEC的Horiguchi说，最初纳米片有四层左右，典型的纳米片宽度为12nm到16nm，厚度为5nm。
台积电副总裁蔡晋(Jin Cai)在最近的IEDM演讲中表示：“纳米片FET面临的挑战是n/p不平衡、bottom sheet effectiveness、间隔层、栅极长度控制和device coverage。”蔡还讲到3nm和以下技术的趋势，但是蔡没有表示未来哪一种架构可能占优，也没有透露台积电的具体计划。
纳米片FET的工艺制程，首先在衬底上形成超晶格结构，然后用外延工艺在衬底上沉积硅锗（SiGe）和硅的交替层。每一个堆栈至少由三层SiGe和三层硅组成。
EUV设备
先进工艺制程持续推进，EUV技术起到非常关键作用。
EUV设备由荷兰ASML公司独家生产，每台设备约为1.5亿美元左右。EUV的光波长为13.5纳米，大大小于之前的氟化氩（ArF）激光波长（193纳米），可在不采用多次曝光成像的情况下绘制更加细微的半导体电路。而且这项技术还能简化成像工艺流程，因此目前被视为唯一的突破口。
目前EUV技术主要运用在逻辑工艺制程中，台积电、三星及英特尔三家分摊60台订单。而对于存储器制造，据预测，NAND闪存不需要EUV，它通过提高堆垒层数来解决容量增大，现阶段3D NAND已达128层，有希望到200层，或者以上，对于DRAM，据预测在1x，1y及1z之后，将在15纳米左右，也要釆用EUV技术。已有报道三星于2020年底会把EUV技术纳入生产线中。
EUV光刻看似是一种工艺技术，然而它的使用涉及产业链，不仅工艺制程，尚包括设备，光刻胶，pellicle，无缺陷掩膜，缺陷测量等，因此需要时间上的积累。
到3纳米时，EUV技术除了要增大镜头的数值孔径NA，由0.33至0.55之外，同样也要加入多次曝光工艺。
据最新报道三星在2020年1月15日与ASML签订新的订单，将扩充采购20台EUV光刻机，总计花费33.8亿美元。
由于ASML的EUV设备市占率达100%，及每台价格达1.5亿美元左右，导致ASML可能超越应用材料公司，而夺得全球半导体设备销售的第一位。
EUV的应用从7纳米导入，经过5纳米，到3纳米时就需要EUV的DP(两次图形曝光技术)，未来可能延伸至2纳米及以下，导致EUV的“生命周期”可能不会太长。
现阶段EUV技术尚需完善它的产业链，主要包括以下方面：
· EUV掩膜
EUV所用的掩膜和193nm浸液式光刻的掩膜完全不同，因为它是反射型光学系统。EUV的空白掩模由40到50层的硅和钼交替堆叠在衬底上构成，厚度250到350纳米。然而在叠层上沉积钌基覆盖层，紧接着再沉积钽基吸收体。
根据现有的数据，急需提高EUV掩膜的良率，因为传统的光学掩膜平均良率高达94.8%。它涉及光刻的成本问题。
· Pellicle薄膜
现在光学掩膜的pellicle薄膜是透明的，但是目前的EUV pellicle薄膜材料要求是不透明的，需要超薄型的薄膜材料去制造透明的EUV薄膜。目前ASML能提供50纳米的多晶硅薄膜作为pellicle，但是性能有待提高。据传目前台积电，三星釆用暂时不带pellicle工作，导致芯片生产线中必须经常的清洗和检查掩模，十分费时。
· 检测掩膜的缺陷
掩膜缺陷检测分为两类，die to die及die to database。从光学原理出发，最高分辨率在20-16纳米范围。Lasertec公司最近推出了一种能够检测20nm以下掩模缺陷的APMI(光化检测)系统。使用光化检测的优点之一是它的图像分辨率高。由于波长短得多，光化检查可提供高分辨率和高对比度的图像。目前该技术仍有待提高与完善。所以EUV的掩膜缺陷检查仍需时间的积累。
· 光源功率
据媒体报道，目前的250W光源应用在7纳米甚至5纳米时都是没问题的，然而到了3纳米，对光源的功率需求将会增大到500W，到了1纳米制程时，光源功率要求可能达到1,000W，是个不易解决的问题。
结语
沿着定律工艺尺寸缩小仍在持续，台积电与三星两家在竞争，2020年5纳米开始量产，3纳米的研发已取得实质性进展，预计2022及2023年有望实现量产，它的客户主要是5G +AI及HPC等，包括苹果，华为，高通，AMD，Xilinx等。未来工艺尺寸缩小的主要问题可能不是技术因素，经济上的实用性才是主要阻碍。
定律除了工艺尺寸缩小外，尚有另外两个重要方向，包括异质集成以及新的架构与材料使用。可以充分相信在未来的十年中，即便尺寸缩小走到尽头，半导体业的前景仍是十分光明，因为它能持续地满足电子工业市场的需求。
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