SanDisk新系列SSD将采用“3-bit”的TLC闪存，结合了Marvell的控制器技术，增加了一片单bit的SLC闪存作为TLC阵列的临时高速缓存。
SanDisk新系列SSD——Ultra II揭开神秘面纱，除了将采用“3-bit”的TLC闪存之外，还结合了Marvell的控制器技术。此外，该SSD还配备了该公司的第二代nCache解决方案，即增加了一片单bit的SLC闪存作为TLC阵列的临时高速缓存。其实竞争对手如三星早在去年就发布了3bit MLC 产品PM853T SSD。
与SLC和MLC相比，TLC NAND的写入速度是硬伤，因此缓存方案可以显著提高其性能。
此外，TLC的“耐久度”也是令人比较担心的问题，而nCache方案则能够将小块汇总成大块再写入，因此有助于缓解这一窘境。
根据SanDisk官网上公布的信息，Ultra II的连续读写性能可达550MB/s和500MB/s，同时提供3年的质保。
该系列SSD的上市时间为今年9月，提供的最高容量为960GB，预计售价为429.99美元(每G均价0.45美元)。480GB/240GB/120GB的售价分别为219.99/114.99/79.99美元。
延伸阅读：等等，有点花眼了，上边提到了3 bit TLC, 单bit SLC，其实还有个3-bit MLC，这都是什么概念呢？（详细见SLC、MLC、TLC、QLC的区别）
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命。<
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
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