SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高；MLC双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品；TLC三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC四比特单元，自然延续了这一趋势。
东芝日前发布世界首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片。对于闪存技术的未来发展而言，这可谓是相当重大的消息。
NAND闪存目前已经发展出了四种形态：SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高；MLC双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品；TLC三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC四比特单元，自然延续了这一趋势。
在曾经的一段时间里，从TLC升级到QLC看上去似乎难度颇高，因为精确区分电荷电平所需要的生产精度是会成倍增加的。但在自己最新的3D NAND闪存当中（使用了64层堆栈式QLC存储单元），东芝就成功做到了这一点。
东芝的QLC技术实现了每闪存颗粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC颗粒显然是巨大的提升。东芝指出，新的QLC颗粒能以16颗粒封装，从而实现单设备1.5TB的容量——这被东芝称为目前单独一个单元的最大容量。
东芝宣称，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，大大高于业界此前几年预计的100-150次，几乎已经和TLC闪存旗鼓相当。
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