三星电子今天宣布，公司已经开始生产全球首批高速toggle DDR 2.0接口MLC闪存芯片，容量为64Gb（8GB），使用20nm级工艺制造。三星高层表示，高速新接口的应用将让新的MLC闪存更好的满足4代智能手机、SATA 6Gbps固态硬盘以及USB 3.0产品的需求。
电子今天宣布，公司已经开始生产全球首批高速toggle 2.0接口芯片，容量为64Gb（8GB），使用20nm级工艺制造。
去年7月，东芝宣布共同推动Toggle 2.0接口成为行业标准规范。新接口可以将读写贷款提高到400Mbps，而 1.0标准为133Mbps，普通SDR NAND仅为40Mbps。
此次宣布的新正是应用该接口的首批产品，主要针对高端智能手机、平板机和固态硬盘。高层表示，高速新接口的应用将让新的更好的满足4代智能手机、SATA 6Gbps固态硬盘以及USB 3.0产品的需求。
声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。
