2013年是闪存良性发展的一年

闪存在2013年经历了一个良性而且快速的发展，其产品的形态也是多种多样。这样的现状取决于颗粒制造工艺的改进、全闪存阵列市场的崛起、闪存公司间的并购有很大的关系。另一方面也有闪存厂商经历了失败的IPO，混合阵列厂商们获得市场的普遍看好的现象。所有的这一切都在2013年发生，如果要把这些都说清，恐怕要画一个巨大的图。

随着闪存产品和技术的新闻越来越多，闪存发展的趋势也越来越明显。现在很多人已经认识到I/O密集型的应用必须要用闪存，闪存比起磁盘性能优势太明显，全闪存阵列成为了当下最适合存储热数据的网络存储设备。磁盘在容量和成本上有些优势，所以磁盘阵列的应用转向了近线存储、冷数据以及大文件存储的场景。

舆论观点普遍认为闪存更轻更薄而且性能更高，这正是笔记本和平板电脑所需要的存储。所以厂商开始研发2.5英寸闪存/磁盘组合成的混合硬盘，这种硬盘能够将热数据存在闪存上，等到数据变冷之后将之迁移到磁盘上。

接下来我们来看下闪存科技发展的现状。

很少TLC

2013年我们并没有发现TLC NAND在企业级产品中非常少见，究其原因还是因为TLC的性能和耐擦写性都不能满足企业级需求，也没有任何技术能够改变TLC的这种弱势。所以闪存厂商还是更愿意使用SLC和MLC来做企业级闪存产品，他们更愿意改进SLC和MLC产品的制造工艺，使其更便宜，容量更大，而不是改造TLC。TLC的应用主要还是在U盘以及SD卡一类的消费级闪存产品。

闪存颗粒的制造工艺已经从20多纳米向10多纳米，东芝的闪存颗粒制造工艺已经做到了19纳米水平。随着单位晶元被切割出更多颗粒，每GB的成本也将随之下降。只是现在19纳米的产品还没能被推向市场，美光有计划在2014年推出16纳米的样品。

向3D NAND的发展

当下并没有发现任何优势大过闪存的非易失存储介质。现有的闪存制造工艺不能制造出15纳米或者更小规格的闪存颗粒，相变存储(Phase Change Memory)以及电阻式存储器(Resistive RAM)，比如惠普的Memristor也是一种趋势。另一方面3D NAND在一定程度上解决了容量问题，这种技术通过做更多的层，层与层之间通过Vias或者TSV相连，并在逻辑层面连接所有单元，进而实现增大单位颗粒的容量。

3D NAND原理图

美光有望在2014年年中推出3D NAND产品样品。但是批量生产起码要等到2015年。三星也在宣传自己的3D NAND技术，但是并没有在今年发布相关产品的打算。

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