SOT-MRAM阵列芯片采用存储器架构中的创新计算，功耗仅为STT-MRAM产品的1%。
台湾工业技术研究院 （ITRI） 与台积电 （TSMC） 联手，开创性地研究开发自旋轨道转矩磁随机存取存储器 （SOT-MRAM） 阵列芯片。
该芯片采用了创新的内存计算架构，功耗仅为自旋传递扭矩磁随机存取存储器 （STT-MRAM） 产品的 1%。
他们的合作成果产生了一篇关于这种微电子元件的研究论文，该论文在 2023 年 IEEE 国际电子设备会议 （IEDM 2023） 上联合发表，强调了他们发现的前沿性质及其在推进下一代存储器技术方面的关键作用。
SOT-MRAM阵列芯片采用存储器架构中的创新计算，功耗仅为STT-MRAM产品的1%。
工研院电子和光电系统研究实验室主任Shih-Chieh Chang博士强调了两个组织的合作成果：“继去年在VLSI技术和电路研讨会上共同撰写的论文之后 ，我们进一步共同开发了SOT-MRAM单元. 该单元同时实现了低功耗和高速运行，速度快至10ns。在存储电路设计中集成计算时，其整体计算性能可以进一步增强。展望未来，这项技术具有在高性能计算、人工智能、汽车芯片等领域的应用潜力。
AI、5G 和 AIoT 的出现催生了对快速处理的需求，因此需要具有增强速度、稳定性和能效的新型内存解决方案。两家机构之间的成功合作为下一代存储器技术铺平了道路，也加强了台湾省在半导体领域的国际竞争优势。
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