研究者提出了一种具有一个自由层和两个固定层的 MTJ 单元，它极大地提高了工艺变化的鲁棒性。
最新一期的IEEE期刊发布了一篇由多名美国研究者联合发布的文章《A High Performance MRAM Cell Through Single Free-Layer Dual Fixed-Layer Magnetic Tunnel Junction》，中文标题：《通过单自由层双固定层磁隧道结的高性能 MRAM 单元》。
随着技术尺寸的缩小，磁性隧道结 (MTJ) 作为一项有前途的技术对工艺变化越来越敏感，尤其是氧化物势垒厚度。工艺变化尤其会影响较小尺寸的电池电阻和临界开关电流。本文提出了一种具有一个自由层和两个固定层的 MTJ 单元，它极大地提高了工艺变化的鲁棒性。通过采用自旋转移力矩 (STT)-自旋霍尔效应 (SHE) 切换方法，我们提出的 MTJ 单元提高了切换速度并降低了切换功耗。根据模拟，与之前最先进的 MRAM 相比，使用建议的 MTJ 单元构建的 MRAM 单元的总功耗降低了 36%，写入性能提高了 32%，读取性能提高了 35%。
论文地址：https://ieeexplore.ieee.org/document/9913487
注：什么是鲁棒性？鲁棒是Robust的音译，也就是健壮和强壮的意思。它是系统在异常和危险情况下生存的关键。比如说，计算机软件在输入错误、磁盘故障、网络过载或有意攻击情况下，能否不死机、不崩溃，就是该软件的鲁棒性。
声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。
