首次展示了每单元7位的超多级单元，并展示了其在未来存储产品中的可行性。
IEEE Xplore 在2022 年 IEEE 国际记忆研讨会 (IMW)论文发表了一篇文章，作者是Hitomi Tanaka、Yuta Aiba、Takashi Maeda、Kensuke Ota、Yusuke Higashi，日本铠侠公司记忆技术研究与开发研究所，Keiichi Sawa , Fumie Kikushima, Masayuki Miura, Memory Div., Kioxia Corporation, Japan和Tomoya Sanuki, Institute of Memory Technology Research & Development, Kioxia Corporation, 日本。
摘要： “在本文中，表明单晶通道和使用液氮在 77 K 下的低温操作相结合提高了单元晶体管特性和 3D 闪存的存储性能。与我们已经报道的多晶硅通道的低温操作相比，单晶通道的低温操作导致单元晶体管亚阈值斜率变陡并降低了读取噪声。特别是，与室温下的多晶硅沟道相比，由于单晶改进和低温操作的协同效应，读取噪声被显着抑制到三分之一。此外，与室温相比，低温下的数据保留得到改善。这些改进导致单元的 Vth 分布更窄，它可以通过多级单元实现比特成本扩展。首次成功演示了每单元7位的超多级单元，并展示了其在未来存储产品中的可行性。“
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