第六代3D闪存技术采用超越传统八层交错式存储孔阵列的领先架构，其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%2。
中存储网2021年2月22日，北京 – 西部数据公司（NASDAQ: WDC）日前宣布，与合作伙伴铠侠联合研发出第六代162层3D闪存技术。该技术是双方协力打造的具备更高密度、更为先进的3D闪存技术，广泛地运用了其在技术与制造层面的创新成果，也象征着双方20年深度合作的又一里程碑。
西部数据公司技术与战略总裁Siva Sivaram博士表示：“摩尔定律在当下的半导体行业发展中已达到物理壁垒，但其仍适用于闪存领域。为了持续推动技术进步，满足全球不断增长的数据存储需求，在3D 闪存领域实现扩展创新至关重要。在新一代技术中，我们与铠侠在纵向和横向扩展方面都引入了创新，让层数更少、体积更小的晶圆实现更大的容量，以满足用户对性能、可靠性和成本的需求。”
铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示：“20年的深入合作中，我们双方都展示出了在制造和研发领域里领先的能力。我们共同提供了全球30%1以上的闪存存储，并始终坚持以低成本为客户提供具备卓越容量、性能和可靠性的解决方案。我们也将持续在一系列以数据为中心的应用中推进这一目标，包括个人电子设备和数据中心应用，以及由5G网络、人工智能和自动化系统推动的新兴应用等。”
以创新技术打造全新架构——超越垂直扩展
第六代3D闪存技术采用超越传统八层交错式存储孔阵列的领先架构，其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%2。与112层堆叠技术相比，这种横向扩展技术上的提升，结合162层堆叠式垂直存储器，能够使晶圆尺寸减小约40%3，从而优化了成本。
西部数据与铠侠团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，程序性能可提高近2.4倍4，读取延迟减少约10%5，I/O性能也提高了约66%6，使得下一代接口能够满足不断增长的对更高传输速率的需求。
总体而言，与上一代产品相比，新的3D闪存技术降低了单位成本，并使每个晶圆的制造位增加了高达70%7。西部数据与铠侠将持续推动创新，以确保实现持续扩展，从而满足用户及其多样化应用的需求。
西部数据与铠侠在ISSCC 2021展会期间的联合演示中，详细介绍了相关的技术创新。
1 来源：铠侠数据调研，2021年2月18日
2,3,4,5,6,7 按照公司的内部测试；实际性能及测试结果会因主机设备、使用环境、硬盘容量及其它因素的不同而有所改变。
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