11月16日讯 国产集成电路存储器极度依赖国外进口，在市
11月16日讯 国产集成电路存储器极度依赖国外进口，在市场、国家安全等因素考量下，国内力求在存储器领域有所突围。原先的紫光、武汉新芯从“各自为阵”到合体发展成立长江存储公司，另外福建、安徽也在借助国内外先进技术厂商积极展开布局，中国存储铁三角逐步成形。
紫光集团先前欲并购美光(目前全球存储器第三大厂商)、与SK海力士(目前全球存储器第二大厂商)谈授权都无疾而终，最终与获得统筹国内存储资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，该项目获得国家大基金支持。
武汉新芯存储基地已在今年3月底动土，新的存储基地将分三期，总规划面积约100万平方米，一期于8月开工、预计2018年建设完成，月产能约20万片，官方目标到2020年基地总产能达30万片/月、2030年达到100万片/月。长江存储在DRAM (动态随机存取存储器，最为常见的系统内存)进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目，也有消息指出，长江存储正招兵买马台湾地区DRAM相关人才，或为建厂做准备。
在DRAM进展有较大突破的为福建晋华存储器项目。今年5月，项目宣布所投资的晋华集成与相关技术厂商签订技术合作协定，晋华委托其开发DRAM相关制程技术，生产利基型DRAM。在今年7月，一期厂房建厂奠基的同时，晋华已在中国台湾地区进行相关方面的技术研发等工作，最终目标其实放在25纳米以下制程，以求与其他DRAM大厂不致有太大落差，初步规划产能与国内其他同类厂商一期产能相当，并将在后期相关技术等稳定后，进一步拓展产能和技术，估计2017年底完成技术开发，2018年中期试产。
在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后，安徽合肥欲起的DRAM势力由中国本土闪存厂商兆易创新(GigaDevice)与中芯国际前CEO王宁国所主导，先前市场传出兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国DRAM厂ISSI合并，成为长江存储之后，另一家DRAM/NAND Flash发展兼具的内存厂商。然而，目前还未传出团队有相关建厂消息。
近年来，国际集成电路存储器产业在历经价格、技术、市场等诸多方面的血战之后，暂时形成了寡占格局。然而，国产存储器发展落后全球行业甚多，存储器自给率仅为总体个位数，进口依存度仍然超过石油进口。发展国内集成电路，特别是存储器行业，仅为近年之事，技术突破和市场突围依然任重道远。
声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。
