2017-11-15 00:00:00
来 源
工商时报
存储器/芯片
来自工商时报的消息,台积电通过约43亿美元资本预算,启动5nm建厂计划。

台积电昨(14)日召开季度例行董事会,会中决议通过资本预算约新台币1,298亿元(约合43亿美元),其中包括将投入逾新台币505亿元兴建厂房的资本支出,正式启动5nm新厂的建厂计划。

设备业者指出,台积电位于南科园区内的5nm新厂总投资金额上看新台币2,000亿元,要赶在2019年上半年完成建厂,下半年进入试产,2020年正式量产。

台积电昨天召开董事会,会中决议核准资本预算约新台币1,298亿1,960万元,包括兴建厂房资本预算约新台币505亿2,450万元,其他项目资本预算约新台币792亿9,510万元,用来扩充及升级先进制程产能、扩充先进封装制程产能、扩充特殊制程产能、转换逻辑制程产能为特殊制程产能、及包括2018年第一季研发资本预算与经常性资本预算。

另外,台积电董事会亦核准在额度不超过20亿美元范围内,对台积电在英属维京群岛设立的百分之百持股子公司TSMC Global Ltd.增资,以降低外汇避险成本。

此次台积电董事会决议最大的亮点,在于台积电正式启动5nm新厂的建厂计划。台积电的10nm及7nm生产线集中在中科的12吋超大型晶圆厂Fab 15,5nm则是南科12吋超大型晶圆厂Fab 14的延伸,预计将兴建第8期至第10期等共3个厂区,5nm合计月产能可望上看9~10万片。

台积电5nm新厂今年9月动土,占地超过40公顷,由于建厂及设备成本愈来愈高,5nm 3个厂区的总投资金额将创下新高纪录,设备业者推估应达新台币2,000亿元。

也因此,台积电今年资本支出预计达108亿美元已创下历史新高,明、后两年资本支出看来会高于今年。台积电财务长何丽梅在日前法说会中就指出,台积电未年几年资本支出将维持在100亿美元以上,资本支出营收占比将维持在30~35%。

台积电第四季已开始进行7nm试产,预计明年第一季正式量产,部光罩制程采用极紫外光(EUV)技术的7+nm预计在2019年进入量产。至于5nm的部份,目前规划2019年下半年开始试产,2020年进入量产。

再者,台积电已决定选择在南科园区兴建3nm晶圆厂,分别是南科Fab 14第11期及第12期,由于目前台湾地区缺水缺电问题仍悬而未决,台积电也持续与政府及主管机关沟通,3nm新厂将在2020年开始建厂。

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