美国半导体专利数统计：SK海力士、三星分居前两名

韩国科技业者在美国半导体专利数统计名列前茅，2011~2015年SK海力士(SK Hynix)以2,594件，三星电子(Samsung Electronics)以2,566件分居前两名，合计比例达8.8%，技压美国当地业者。

据韩媒ET News报导，韩国专利厅(KIPO)的统计结果显示，2011~2015年在美国申请的存储器设计、制造、封装技术专利总计有5.8838万件，其中有5,160件(约8.8%)为SK海力士及三星电子所申请。其次依序是Toshiba 2,289件、美光(Micron)2,120件、IBM 1,977件、西部数据(Western Digital)1,289件、英特尔(Intel)1,008件。

2011年这7家业者在美国申请的存储器专利件数为417件，之后每年稳定成长，2015年达到4,151件。固态硬盘(SSD)能逐步取代一般硬盘(HDD)，业者集中NAND Flash领域申请专利有很大贡献。

韩国专利厅表示，韩国业者抢先申请堆叠结构的3D DRAM与3D NAND Flash专利，因此带动全球存储器市场变化。

相同期间韩国的专利申请情况以三星电子4,388件领先，其次是SK海力士3,739件，英特尔以759件排名第三，台积电以572件排名第四。之后分别是美光357件、西部数据150件、Toshiba 140件。

韩国专利厅电子零组件审查组表示，硬件是工业4.0的核心要素，存储器需求成长让韩国存储器业者的市场地位更显重要。

声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。