传三星考虑在华城厂打造10nm级DRAM产线 2019年初投产

传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线，2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM，尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距，并且获取最大利益。

据韩媒Digital Times报导，三星电子即将在华城厂区17产线附近的停车场空地兴建1条新的EUV专用产线，最快2017年12月就会动工，预定2019年启用。三星还在研议是否将这条EUV产线与其余7条原本的半导体产线、输送带连接运行。三星华城厂区内有DRAM、NAND Flash、晶圆代工等多种半导体产线。

业界认为，三星除了要在晶圆代工使用EUV设备，也有意将EUV设备用在DRAM生产，2019年领先同业量产1znm制程DRAM。

三星增建产线会在当地带来交通负荷，但最近华城市政府已通过交通影响环评审议，因此三星只需完成剩余的建厂申请行政流程，立刻就可以动工。三星虽未明确公布将使用几台EUV设备，但业界推测应在4~8台。

三星在2016年10月开始以现有的曝光设备反复刻画电路量产18nm DRAM，至今尚未公布1ynm DRAM量产计划。业界认为三星已准备好1znm量产技术，只是无法决定导入时间点。

知情人士表示，原则上三星的EUV机台只会用在7nm晶圆代工，也可能有部分用在DRAM生产。三星最可能以荷兰设备业者ASML生产的EUV机台进行量产，但机台价格动辄数千亿韩元(1000亿韩元约合9223万美元)，制程速度慢是最大缺点。

即便如此，三星仍考虑将EUV设备用在1znm DRAM量产的原因是市场主宰力。市调机构的资料显示，2017年第3季三星在移动设备与服务器DRAM市场的占有率各为58.3%、45.9%；DRAM的营业利益率更高达62%。

竞争对手SK海力士(SK Hynix)也有意以更先进制程生产DRAM，传闻2017年第4季SK海力士将启动1xnm DRAM生产，并在2018年下半开发出1ynm DRAM制程。但SK海力士并未明确提到是否采用EUV设备。 

另据韩媒Newspim报导，三星电子的半导体事业司令部已由器兴移到华城。会长权五铉执掌半导体暨设备解决方案事业部(DS)时期，权五铉的办公室位于器兴厂区，社长金奇南接任DS部长后，每天上下班地点是华城厂区内的半导体零组件研究大楼。业界认为金奇南将会加强对系统半导体事业的管理效率。

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