三星可能会将512GB的eUFS 3.1储存芯片，率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note 20系列；之后三星还会陆续生产和供应128GB和256GB的eUFS 3.1储存芯片。
半导体联盟消息，智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存芯片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
三星表示512GB的eUFS 3.1储存芯片，连续写入速度将超过1,200MB/s，比起现在相同容量eUFS 3.0储存芯片的400MB/s，速度快达3倍。
同时512GB eUFS 3.1储存芯片的随机读写表现为100,000/70,000 IOPS，亦较eUFS 3.0的产品快60%。三星指新储存芯片只需90秒就能完成100GB的档案传输，旧款要4分钟以上，特别适合用于储存8K高分辨率影片。
有消息指三星可能会将512GB的eUFS 3.1储存芯片，率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note 20系列；之后三星还会陆续生产和供应128GB和256GB的eUFS 3.1储存芯片。
声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。
