骁龙8 Gen 3将采用台积电N4P工艺制造，拥有1颗Cortex X4超大核、5颗Cortex A720大核和2颗Cortex A520小核，以1+5+2的架构设计为特点。
科技号消息，今日高通公司宣布将于10月24日举办骁龙技术峰会，并计划在活动上正式发布全新一代旗舰芯片骁龙8 Gen 3。此次发布的骁龙8 Gen 3将采用台积电N4P工艺制造，拥有1颗Cortex X4超大核、5颗Cortex A720大核和2颗Cortex A520小核，以1+5+2的架构设计为特点。相比联发科的天玑9300芯片采用的4+4全大核架构，骁龙8 Gen 3在设计上更为保守。这两款芯片将在性能方面展开激烈竞争，而天玑9300芯片是否能够控制好功耗仍有待观察。
据数码闲聊站的博主透露，骁龙8 Gen 3普通版的主频预计将达到3.18/3.2GHz±。在安兔兔V9版本的跑分测试中，该芯片预计能够获得160万分的高分。这一成绩显示出骁龙8 Gen 3在性能方面的出色表现。
根据数码闲聊站此前的消息，骁龙8 Gen 3芯片将于今年11月配备新手机上市。首批机型将包括小米14系列、vivo X100系列、iQOO 12系列、Redmi K70系列、一加12和realme GT5等。这些机型将充分利用骁龙8 Gen 3芯片的优秀性能和功能，为消费者带来卓越的使用体验。
值得一提的是，高通公司此次推出的骁龙8 Gen 3芯片将为市场带来更多选择。与联发科的天玑9300芯片相比，骁龙8 Gen 3在架构设计和性能方面有着自己的独特优势。消费者可以期待新一代旗舰手机的发布，为自己的手机升级带来更强大的性能和功能。据科技号网站了解，关于骁龙8 Gen 3芯片的更多细节和发布活动将在10月24日的骁龙技术峰会上逐步揭晓。
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